蘋果將在A15芯片中使用臺積電的5納米技術(shù)
晶圓代工龍頭臺積電及微影設(shè)備大廠ASML于上周法人說明會透露了更多3奈米細節(jié)。臺積電3奈米采用鰭式場效電晶體(FinFET)架構(gòu)及極紫外光(EUV)微影技術(shù),邏輯密度與5奈米相較將大幅增加70%,且EUV光罩層數(shù)將倍增且超過20層。因此,臺積電積極采購EUV曝光機設(shè)備,未來三~五年仍將是擁有全球最大EUV產(chǎn)能的半導體廠,包括家登及崇越等供應(yīng)商可望受惠。
臺積電EUV微影技術(shù)已進入量產(chǎn)且制程涵蓋7+奈米、6奈米、5奈米。據(jù)設(shè)備業(yè)者消息,臺積電7+奈米采用EUV光罩層最多達四層,超微新一代Zen 3架構(gòu)處理器預(yù)期是采用該制程量產(chǎn)。6奈米已在第四季進入量產(chǎn),EUV光罩層數(shù)較7+奈米增加一層,包括聯(lián)發(fā)科、輝達、英特爾等大廠都將採用6奈米生產(chǎn)新一代產(chǎn)品。
臺積電下半年開始量產(chǎn)5奈米制程,主要為蘋果量產(chǎn)A14及A14X處理器,包括超微、高通、輝達、英特爾、博通、邁威爾等都會在明年之后導入5奈米制程量產(chǎn)新一代產(chǎn)品。5奈米EUV光罩層數(shù)最多可達14層,所以Fab 18廠第一期至第三期已建置龐大EUV曝光機臺設(shè)備因應(yīng)強勁需求,臺積電明年將推出5奈米加強版N5P制程并導入量產(chǎn),后年將推出5奈米優(yōu)化后的4奈米制程,設(shè)備業(yè)者預(yù)期N5P及4奈米的EUV光罩層數(shù)會較5奈米增加。
臺積電在日前的法說會中宣布,3奈米研發(fā)進度符合預(yù)期且會是另一個重大制程節(jié)點,與5奈米制程相較,3奈米的邏輯密度可增加70%,在同一功耗下可提升15%的運算效能,在同一運算效能下可減少30%功耗。3奈米制程采用的EUV光罩層數(shù)首度突破20層,業(yè)界預(yù)估最多可達24層。
ASML執(zhí)行長Peter Wennink在日前法說會中指出,5奈米邏輯制程采用的EUV光罩層數(shù)將超過10層,3奈米制程采用的EUV光罩層數(shù)會超過20層,隨著制程微縮EUV光罩層數(shù)會明顯增加,并取代深紫外光(DUV)多重曝光制程。
臺積電5奈米及3奈米的EUV光罩層數(shù)倍數(shù)增加,提供EUV光罩盒(EUV Pod)的家登受惠最大,今、明兩年產(chǎn)能均已被大客戶預(yù)訂一空。至于EUV產(chǎn)能大幅提高,代理EUV光阻液的崇越接單暢旺,訂單同樣排到明年下半年。
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