三星電子將向中國(guó)芯片廠再投資80億美元

　　三星的此次投資正值全球內(nèi)存市場(chǎng)預(yù)計(jì)于明年反彈之際。據(jù)預(yù)計(jì)，由于供應(yīng)有限，以及對(duì)5G設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)需求的不斷上升，明年全球內(nèi)存芯片市場(chǎng)將出現(xiàn)反彈。

　　三星是世界上最大的NAND閃存芯片制造商，NAND閃存芯片可以永久保存數(shù)據(jù)，普遍用于移動(dòng)設(shè)備、存儲(chǔ)卡、USB閃存驅(qū)動(dòng)器和固態(tài)驅(qū)動(dòng)器中。

　　三星2017年曾宣布，未來三年將向生產(chǎn)NAND閃存芯片的西安工廠投資70億美元。在此之前，三星早些時(shí)候還向西安的一家檢測(cè)和包裝工廠投資了108億美元。

　　此次80億美元的投資是三星西安閃存芯片項(xiàng)目的二期的第二階段投資，之前的 108億美元為一期投資。二期項(xiàng)目總投資150億美元，第一階段投資約70億美元，第二階段為80億美元。

　　二期項(xiàng)目預(yù)計(jì)于2021年下半年竣工，建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片，新增產(chǎn)值300億元。

　　三星在NAND閃存領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手包括韓國(guó)的SK Hynix、美國(guó)的美光科技和日本的東芝公司。此外，幾家中國(guó)公司也曾試圖進(jìn)入該市場(chǎng)。

　　今年9月，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。